株式会社アバ

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ウェハプロセス

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ウェハプロセス

GaAs, SiC, GaN on SiC等の化合物半導体の前工程(ウェハプロセス)を請け負います。

スイッチ、LNA、PA、5GのWiFi、基地局等向けのMMIC、光ファイバーや5Gインフラ、
3Dセンシング等向けの光デバイスに対応しています。

主な対応プロセス

6インチ
  • HBT
  • 0.25/0.5 um E/D pHEMT
  • 0.15/0.1 um E-pHEMT
  • 0.25 um ED BiHEMT
  • Cu Pillar Bump
  • IPD
  • VCSEL
  • 太陽電池
  • MOSFET
  • GBT
  • JBS
4インチ
  • 0.45/0.25/0.15 HEMT (GaN on SiC)
  • 太陽電池
  • 2.5/10/25G LD
  • 2.5/10G PD, APD
上記以外でもご相談がありましたら
お問い合わせください。
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試作の流れ

試作の流れ

委託先

  1. WIN Semiconductors Corp.(台湾)

    WIN Semiconductors Corp.(台湾)

    穩懋半導體股份有限公司

  2. ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR COMPANY(AWSC)(台湾)

    ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR COMPANY(AWSC)(台湾)

    宏捷科技股份有限公司

  3. Episil Technologies Inc.(台湾)

    Episil Technologies Inc.(台湾)

    漢磊科技股份有限公司