ウェハプロセス
GaAs, InP, SiC, GaN on SiC等の化合物半導体の前工程(ウェハプロセス)を請け負います。
スイッチ、LNA、PA、5GのWiFi、基地局等向けのMMIC、光ファイバーや5Gインフラ、
3Dセンシング等向けの光デバイスに対応しています。
主な対応プロセス
- ６インチ
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- ● HBT
- ● 0.25/0.5 um E/D pHEMT
- ● 0.15/0.1 um E-pHEMT
- ● 0.25 um ED BiHEMT
- ● Cu Pillar Bump
- ● IPD
- ● VCSEL
- ● 太陽電池
- ● MOSFET
- ● GBT
- ● JBS
- ４インチ
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- ● 0.45/0.25/0.15 HEMT (GaN on SiC)
- ●太陽電池
- ●2.5/10/25G LD
- ●2.5/10G PD, APD
- 上記以外でもご相談がありましたら
お問い合わせください。 - お問い合わせはコチラ ►
試作の流れ
ファウンドリ
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WIN Semiconductors Corp.(台湾)
穩懋半導體股份有限公司
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ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR COMPANY(AWSC)(台湾)
宏捷科技股份有限公司
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Episil Technologies Inc.(台湾)
漢磊科技股份有限公司